高速シリコンディープエッチング装置(RIE) サムコ RIE-400iPBは、Boschプロセスを用いた深堀りシリコンエッチングに特化したドライエッチング装置です。高いアスペクト比を実現します。優れた選択性を備えています。 高速シリコンディープエッチングシステムは、先進的な微細加工プロセス向けに設計された高精度クリーンルーム装置です。立方体型のフォームファクターとタッチスクリーン式の制御パネルを備え、誤導結合プラズマ(ICP)ソースを利用して高密度プラズマを生成し、深いシリコンエッチングを実現します。このシステムは、SF₆を基にしたエッチングとC₄F₈ポリマー堆積を交互に行うボッシュプロセスを採用しており、側壁の粗さを抑えた高アスペクト比構造の作製を可能にします。MEMS製造、スルーシリコンビア(TSV)エッチング、マイクロ光学部品の製造などの用途に特に適しています。その高い性能本装置は、マイクロエレクトロニクス、フォトニクス、ナノテクノロジー分野の研究開発において不可欠な存在です。 利用申請・トレーニング 機器No.: ENG-N056 メーカー: サムコ モデル: RIE-400iPB 導入年: 2025 カテゴリー エッチング装置ナノファブリケーションサンプル調整機器 セクション Engineering 部屋番号: L5-D46 外部貸出: はい 操作: ユーザー/スタッフ操作 シェア: 特徴 ・RF電源:13.56 MHzで最大1500 W、自動インピーダンス整合対応・温度制御:ヘリウム裏面冷却付き静電チャック・プロセス圧力:1~100 mTorr・対応ガス:SF₆、C₄F₈、O₂、Ar・対応サンプル:5 × 5 mm~4インチウェーハ・選択性:SiO₂マスク使用時に100:1以上・ロードロックを搭載 関連機材 Reactive Ion Etching (RIE) The Samco RIE-200NL is a dry etching system optimized for silicon-based materials like silicon dioxide (SiO), silicon nitride (SiN), or other nitride and oxide and some metals. 諸導結合プラズマ - 反応性イオンエッチングおよび化学気相成膜 (ICP- RIE/CVD) プラズマラボ100は、シリコン系材料の精密なエッチングおよび化学気相成長に特化して設計された諸導結合プラズマ(ICP)システムです。
Reactive Ion Etching (RIE) The Samco RIE-200NL is a dry etching system optimized for silicon-based materials like silicon dioxide (SiO), silicon nitride (SiN), or other nitride and oxide and some metals.
諸導結合プラズマ - 反応性イオンエッチングおよび化学気相成膜 (ICP- RIE/CVD) プラズマラボ100は、シリコン系材料の精密なエッチングおよび化学気相成長に特化して設計された諸導結合プラズマ(ICP)システムです。