諸導結合プラズマ　-　反応性イオンエッチングおよび化学気相成膜　(ICP- RIE/CVD)

諸導結合プラズマ－反応性イオンエッチングおよび化学気相成膜（ICP-RIE/CVD）システム、特に　Oxford Plasmalab1000　は、諸導結合プラズマ源を利用して高密度プラズマを生成し、均一性を向上させながらエッチングおよび成膜速度を強化します。
ICP-RIEモードでは、シリコン、酸化シリコン、誠電体材料、特定の金属、および　III-V　族半導体の異方性および等方性エッチングに対応するフッ素系および塩素系化学プロセスをサポートしています。また、深いシリコンエッチングに適した　Boschプロセスなどの高度なプロセスにも対応可能です。
ICP-CVDモードでは、酸化シリコン（SiOx）および窒化シリコン（SixNy）層の迅速な成膜が可能であり、マイクロエレクトロニクス、フォトニクス、MEMS製造などの用途に適しています。
この多用途な装置は、精密な材料加工や薄膜成膜を必要とする研究開発に最適です。