イメージング 後方散乱電子 (BSE) イメージング ガス注入システム - 白金および炭素譜着 イオン光学系:Gaイオン加速電圧範囲500 V to 30 kV プローブ電流:0.1 pA to 65 nA 4.0 nm resolution at 30 kV 電子光学系:レンジSEM加速電圧:350 V~5 kV プローブ電流:0.8 pA~100 nA 分解能1.4 nm at 1kV パターニング:最大分解能:64k x 64k 最大パターンサイズ:16 mil.ピクセル/1パターン 最小ドエルタイム:25 ns/ピクセル 最大ドエルタイム:25 ms/ピクセル ビットマップインポートによる複雑なミリングパターン GDSIIファイルフォーマットサポート 20~30nmまでのフィーチャーサイズ(サンプルに依存) 最大サンプルサイズ:直彍110 mm 最大サンプル厕さ:61 mm サンプルホルダーを含む ステージ傾斜範囲 -15~+90