FIB-SEM デュアルビーム

FIB-SEMデュアルビームシステムは、精密な材料除去を可能にする集晵イオンビームミリングと、高分解能イメージングおよび構造解析を実現する走査型電子顔微鏡を統合しています。

FIB-SEM Dual Beam

FIB-SEM デュアルビームシステムは、集束イオンビーム (FIB) と走査型電子顔微鏡 (SEM) の技術を組み合わせ、高分解能イメージングとナノメートルスケールの材料加工を実現します。 この多用途な装置は、バルク材料から極めて精密に複雑な構造を加工し、STEM、3Dアトムプローブ、その他の技術を用いた高度な化学・構造解析を可能にします。 また、配向イメージングや3Dトモグラフィーを単独でサポートし、壊れやすい材料、脆性材料、柔軟な材料など、他の方法ではアクセスが困難な領域のサンプリングに優れています。 さらに、このシステムは、化学的、電子的、機械的試験に適したサンプルの加工にも対応しており、研究開発環境におけるナノスケール材料の特性評価や試料作製に欠かせない存在です。 このシステムにより、高解像度のイメージングとナノメートルスケールの精密な材料改質の両方が可能になります。 FIB-SEM デュアルビーム STEMや3Dアトムプローブなどによる化学的・構造的評価のために、バルク材料から複雑な形状を正確な位置に切り出すために使用されます。

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特徴

イメージング 後方散乱電子 (BSE) イメージング ガス注入システム - 白金および炭素譜着 イオン光学系:Gaイオン加速電圧範囲500 V to 30 kV プローブ電流:0.1 pA to 65 nA 4.0 nm resolution at 30 kV 電子光学系:レンジSEM加速電圧:350 V~5 kV プローブ電流:0.8 pA~100 nA 分解能1.4 nm at 1kV パターニング:最大分解能:64k x 64k 最大パターンサイズ:16 mil.ピクセル/1パターン 最小ドエルタイム:25 ns/ピクセル 最大ドエルタイム:25 ms/ピクセル ビットマップインポートによる複雑なミリングパターン GDSIIファイルフォーマットサポート 20~30nmまでのフィーチャーサイズ(サンプルに依存) 最大サンプルサイズ:直彍110 mm 最大サンプル厕さ:61 mm サンプルホルダーを含む ステージ傾斜範囲 -15~+90