原子層堆積システム

Savannah S200原子層堆積（ALD）システムは、高アスペクト比構造へのコンフォーマルコーティングを目的に設計された高精度薄膜堆積装置です。 気相化学プロセスにおける逐次的かつ自己制御型の表面反応を活用し、原子レベルでの膜厚制御と膜組成の調整を実現します。 このシステムは、プリカーサー（目的の材料元素を含む化学化合物）を基板表面に個別に導入することで動作し、各サイクルで単分子層の形成を確実にします。 複数の堆積サイクルにより膜厚を精密に制御できるため、ナノテクノロジー、半導体製造、先端材料研究などの分野に最適です。 Savannah S200は、ナノスケールの精度が求められる複雑な形状や基板に均一なコーティングを形成する用途に特に適しています。 Savannah S200 ALD 原子層堆積法（ALD）は、気相化学プロセスにおける逐次的かつ自己限定的な表面反応に基づくコンフォーマル薄膜堆積法です。